存算一体芯片商业化浪潮——忆阻器、自旋电子存储与近存计算加速器的2026量产突破
2026年被视为存算一体化（Computing in Memory）技术的商业化元年。忆阻器（RRAM）、自旋转移矩磁存储（STT-MRAM）和近存计算加速器在AI推理、边缘设备和数据中心中实现量产突破。本文深入分析存算一体芯片的技术原理、产业链进展及对AI计算的革命性影响。
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