工程实践

DDR5-6400性能分析

技术摘要DDR5‑6400 在高频下提供更高带宽,同时需关注 Latency 与稳定性。在典型桌面与工作站负载中,IOPS 与 工作集 呈现不同特征;在控制电压与时序下可获得更优 能效比,适合创作与编译等内存密集型场景。技术参数规格:DDR5‑6400;电压与时序:示例 XMP/EXPO 配置平台支

NVMe-SSD性能白皮书

技术摘要面向桌面与企业的 NVMe SSD 依托 NVMe 2.0 与 PCIe 4.0 x4 提升带宽并降低访问延迟;SSD 在顺序与随机读写方面显著领先。结合 DRAM缓存、SLC缓存 与 TLC NAND 的控制器策略,在并发场景下提升吞吐与响应,能效比 表现稳定,适用于创作与数据库负载。技术

-计算机硬件-存储-Samsung-990 PRO系列性能评测-

技术摘要Samsung 990 PRO系列采用PCIe 5.0 x4接口和NVMe 2.0协议,基于第七代V-NAND闪存技术,配备三星自研控制器和2GB LPDDR4 DRAM缓存。该系列提供7450MB/s顺序读取和6900MB/s顺序写入性能,随机读写性能达1500K IOPS,支持智能SLC

Samsung-990 PRO性能评测

技术摘要Samsung 990 PRO 作为 PCIe 4.0 x4 NVMe SSD,结合 DRAM缓存 与高效控制器,提供优异顺序与 4K随机性能;在 TBW 与温控策略配合下,实现性能与耐久度的平衡,适合创作、游戏与工作站存储加速。技术参数兼容性:M.2 2280;接口:PCIe 4.0 x4